采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4936CDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：325pF@15V
连续漏极电流：5.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：130.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6555pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT32M5LFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4066pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2303CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：P沟道
导通电阻：190mΩ@1.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
