品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6009LPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:33.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1925pF@30V
连续漏极电流:10.6A€87A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD87502Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:353pF@15V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32.4mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: