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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：4599，"23+"：2164}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：113nC @ 10V
输入电容：7940pF @ 20V
连续漏极电流：33A，156A
类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
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功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
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输入电容：6771pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
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导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
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漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
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规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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功率：2.3W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.3W
阈值电压：3V @ 250µA
栅极电荷：113nC @ 10V
输入电容：7940pF @ 20V
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类型：2 个 N 通道（半桥）
导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：116.1nC@10V
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输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD8540L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7940pF@20V
连续漏极电流：33A€156A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：1.5mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
连续漏极电流：33A，156A
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导通电阻：1.5 毫欧 @ 33A，10V
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类型：2 个 N 通道（半桥）
栅极电荷：113nC @ 10V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：116.1nC@10V
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT4002LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：6771pF@20V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
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类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：1801
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
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栅极电荷：116.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@25A，10V
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