品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP26M7UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5940pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2T
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD85301Q2
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:469pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:27mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2002UPS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:585nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12826pF@10V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:1.9mΩ@25A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2007UFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4621pF@10V
连续漏极电流:18A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: