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    功率: 2.3W
    工作温度: -55℃~+150℃
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:6
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    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数1000个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数500个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    连续漏极电流:5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数2500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4936CDY-T1-GE3 起订数2500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.3W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:9nC@10V

    输入电容:325pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:40mΩ@10V,5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个
    TI Mosfet场效应管 CSD17313Q2 起订数100个

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    栅极电荷:2.7nC@4.5V

    输入电容:340pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:1个N沟道

    连续漏极电流:5A

    导通电阻:30mΩ@4A,8V

    阈值电压:1.8V@250μA

    功率:2.3W

    包装清单:商品主体 * 1

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