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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
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功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTF5P03T3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.56W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：3.7A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@5.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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