品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.9mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
输入电容:2000pF@20V
导通电阻:27mΩ@8A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
漏源电压:40V
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
输入电容:2000pF@20V
导通电阻:27mΩ@8A,10V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:42nC
输入电容:2.5nF
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:180pF
导通电阻:13mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:42nC
输入电容:2.5nF
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:180pF
导通电阻:13mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AO4485
功率:3.2W
阈值电压:1.6V@250μA
栅极电荷:42nC
输入电容:2.5nF
连续漏极电流:11A
类型:1个P沟道
反向传输电容:180pF
导通电阻:13mΩ@10V,10A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: