品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP18N60DM2
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:295mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TIP147T
包装方式:管件
功率:90W
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
晶体管类型:PNP
工作温度:150℃
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电集截止电流(Icbo):2mA
集电极电流(Ic):10A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TIP147T
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):10A
功率:90W
集电集截止电流(Icbo):2mA
工作温度:150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):3V@40mA,10A
包装方式:管件
晶体管类型:PNP
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@5A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP11NM60ND
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: