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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3732UFB4-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40.8pF@25V
连续漏极电流：1.3A
类型：N沟道
导通电阻：460mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V
栅极电荷：3.5nC
连续漏极电流：2.7A
类型：MOSFET
导通电阻：60mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：6nC@4.5V
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：1个P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN1509K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@200mA，0V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCPB5530X，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A€3.4A
类型：N和P沟道
导通电阻：34mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2110UW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：443pF@6V
连续漏极电流：2A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB55XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB55XP，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@10V
连续漏极电流：3.4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：70mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3061SWQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：490mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：278pF@15V
连续漏极电流：2.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@3.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV40UN2R
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@3.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV33UPE，215
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1820pF@10V
连续漏极电流：4.4A
类型：P沟道
导通电阻：36mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDPB30XN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：40mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D0UFD-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@10V
连续漏极电流：820mA
类型：P沟道
导通电阻：495mΩ@800mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV65UNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：490mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：291pF@10V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：73mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
