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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订8个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订8个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订300个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

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    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

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    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

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    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:63nC@10V

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    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订1个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订1个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订200个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订200个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

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    功率:225W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

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    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1837}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

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    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:2.29nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订100个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订100个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQH8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订15个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订15个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1837}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    输入电容:2.29nF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订60个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订60个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

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    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订30个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订30个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQH8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订250个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订250个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订120个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQH8N100C 起订120个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQH8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK72E12N1,S1X(S 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X(S

    工作温度:+150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:130nC@10V

    连续漏极电流:72A

    类型:N

    导通电阻:4.4mΩ

    漏源电压:120V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订1000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQP12N60C 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":3340,"MI+":1000}

    包装规格(MPQ):166psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP12N60C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2290pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:650mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQA8N100C 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQA8N100C

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:225W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:70nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3220pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.45Ω@4A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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