品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1613
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:4.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:4.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:4.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN10A08DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@50V
连续漏极电流:1.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:250mΩ@3.2A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K21TR
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJS6806_S1_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:235pF@15V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):QS8K2TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:285pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:4.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1922EDH-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:1.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:198mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ4828A-TP
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@30V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:56mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1613
销售单位:个
规格型号(MPN):QS6K1TR
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:77pF@10V
连续漏极电流:1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:238mΩ@1A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A09DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1407pF@40V
连续漏极电流:4.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7503TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:210pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:135mΩ@1.7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: