采购热线 400-661-9010
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2306CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@15V
连续漏极电流：3.5A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@3.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU60N04-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJS6809_S1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：396pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：115mΩ@2.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7509TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.7A€2A
类型：N和P沟道
导通电阻：110mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP4050SSDQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：674pF@20V
连续漏极电流：4A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML0060TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@25µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：290pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@2.7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI1965DH-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@6V
连续漏极电流：1.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：390mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3412-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@10V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@4.1A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：756pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：57mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD401ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.573Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIL2300-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：25mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2323CX RFG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@10V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@4.7A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7503TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.4A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：135mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR4501NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2066LDMQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：4.6A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2302-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：72mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1352
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF2N02ELT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@5V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：85mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML5203TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：98mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS6K21TR
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
