采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD402ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：730mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD402ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：730mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD402ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：730mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2301A-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：14.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@6V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@2.8A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD402ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1.2nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：730mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD412ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.71nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21pF@6V
连续漏极电流：500mA
类型：N沟道
导通电阻：340mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIUD403ED-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：31pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：P沟道
导通电阻：1.25Ω@300mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
