品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:948pF@25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
类型:P-Channel
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-13
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
输入电容:708pF@15V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-7
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
输入电容:708pF@15V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMC3A16DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:796pF@25V
连续漏极电流:4.9A€4.1A
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:4.3A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:45mΩ@5A,10V
输入电容:948pF@25V
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
类型:P沟道
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-13
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:1.3V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
输入电容:708pF@15V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMC3A16DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:796pF@25V
连续漏极电流:4.9A€4.1A
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@9A,10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):500psc
规格型号(MPN):ZXMC3A16DN8TA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:796pF@25V
连续漏极电流:4.9A€4.1A
类型:N和P沟道
阈值电压:1V@250µA
导通电阻:35mΩ@9A,10V
ECCN:EAR99
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4A
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:7.8nC@10V
阈值电压:2.1V@250µA
类型:P-Channel
输入电容:336pF@25V
导通电阻:65mΩ@4A,10V
功率:1.25W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDMQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3A17DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.1A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3A17DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.1A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P-Channel
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3A17DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@25V
连续漏极电流:4.1A€3.4A
类型:N和P沟道
导通电阻:50mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:948pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:45mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3A16DN8TC
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:796pF@25V
连续漏极电流:4.9A€4.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3098LDM-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:7.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:336pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMC3A16DN8TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:796pF@25V
连续漏极电流:4.9A€4.1A
类型:N和P沟道
导通电阻:35mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: