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品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2312
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLML2502TR(UMW)
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
连续漏极电流：4.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，4.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RTQ020N05HZG
功率：1.25W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：2.3nC@4.5V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：15pF@10V
导通电阻：140mΩ@4.5V，2A
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2300F
功率：1.25W
阈值电压：650mV
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2312
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：780pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2300F
功率：1.25W
阈值电压：650mV
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2312
功率：1.25W
阈值电压：900mV@250μA
连续漏极电流：6.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，4.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2300F
功率：1.25W
阈值电压：650mV
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：1.2V@50μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：237pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
反向传输电容：45pF@10V
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：4.3nC@4.5V
输入电容：511pF@15V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：156mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2300F
功率：1.25W
阈值电压：650mV
连续漏极电流：6A
类型：1个N沟道
导通电阻：27mΩ@4.5V，2.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AS2304
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：117mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308A
功率：1.25W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
