采购热线 400-661-9010
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2310A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM2328CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：11.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UMW
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305A
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.38W
栅极电荷：10.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
