品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y13-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
输入电容:4.52nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG90N08P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y13-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
输入电容:4.52nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF-ES
功率:147W
阈值电压:2.9V
栅极电荷:35nC
输入电容:4.065nF
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:230pF
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y13-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
输入电容:4.52nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"18+":4800,"MI+":197}
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP8N60C
类型:1个N沟道
栅极电荷:36nC@10V
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
包装方式:管件
工作温度:-55℃~+150℃
漏源电压:600V
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
输入电容:1.255nF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y13-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:81nC@10V
输入电容:4.52nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF-ES
功率:147W
阈值电压:2.9V
栅极电荷:35nC
输入电容:4.065nF
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:230pF
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:SUPERDIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF-ES
功率:147W
阈值电压:2.9V
栅极电荷:35nC
输入电容:4.065nF
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:230pF
导通电阻:6.6mΩ
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHA14N60E-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.205nF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:309mΩ@7A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y14-80EX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:44.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3.155nF@25V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:14mΩ@10V,15A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N60C
工作温度:-55℃~+150℃
功率:147W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:36nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.255nF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,3.75A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:85nC@10V
输入电容:3.95nF@25V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:210pF@25V
导通电阻:9mΩ@10V,35A
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: