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    功率: 900mW
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    漏源电压: 30V
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    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":141000,"09+":44907}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4169FT1G

    工作温度:-25℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订2290个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订2290个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4169FT1G

    工作温度:-25℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订2290个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订2290个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":141000,"09+":44907}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4169FT1G

    工作温度:-25℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4169FT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4169FT1G

    工作温度:-25℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:5.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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