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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6912A

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6912A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:28mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFGQ-7 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2nF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3009SFG-7 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3009SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@15V

    连续漏极电流:16A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3030LFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3030LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:17.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:751pF@10V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6975
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6975

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6975

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1540pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:32mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8858CZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8858CZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1205pF@15V

    连续漏极电流:8.6A€7.3A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:17mΩ@8.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A€62A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.4mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGD4167CT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGD4167CT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:295pF@15V

    连续漏极电流:2.6A€1.9A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:90mΩ@2.6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958A-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958A-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8958A-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:575pF@15V

    连续漏极电流:7A€5A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:28mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-7 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC3016LDV-7 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC3016LDV-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1184pF@15V€1188pF@15V

    连续漏极电流:21A€15A

    类型:N和P沟道互补型

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3115UDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3115UDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:476pF@15V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:60mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4119NT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":60000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4119NT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4800pF@24V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@29A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:605
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订48000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订48000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7430LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1281pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:11mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:48000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFG-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG7430LFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:26.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1281pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:11mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3051LDM-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3051LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:8.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@5V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250µA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3008SFG-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3690pF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFGQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3008SFGQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3008SFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:47nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2230pF@15V

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6930B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:38mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1360pF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:22mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
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