品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WPM2087-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:900mW
阈值电压:750mV@250μA
栅极电荷:12nC@4.5V
输入电容:1.182nF@10V
连续漏极电流:3.6A
类型:1个P沟道
反向传输电容:108pF@10V
导通电阻:34mΩ@4.5V,5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2176-6/TR
功率:900mW
阈值电压:780mV@250μA
栅极电荷:3.1nC@4.5V
输入电容:190pF@10V
连续漏极电流:2.6A
类型:2个N沟道
反向传输电容:36pF@10V
导通电阻:55mΩ@4.5V,2.5A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
功率:900mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:5.7A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNMD2167-6/TR
导通电阻:21mΩ@4.5V,6.3A
连续漏极电流:5.7A
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
功率:900mW
类型:2个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存: