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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN16M0UCA6-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：24nC@4.5V
连续漏极电流：17A
类型：2个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：900mV@250µA
连续漏极电流：2.9A
功率：900mW
栅极电荷：17nC@8V
类型：P沟道
漏源电压：12V
输入电容：650pF@6V
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1032UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：4.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@6V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8819EDB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：17nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@6V
连续漏极电流：2.9A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@1.5A，3.7V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
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