采购热线 400-661-9010
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
功率：900mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：5.7A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
漏源电压：20V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：WNMD2167-6/TR
导通电阻：21mΩ@4.5V，6.3A
连续漏极电流：5.7A
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
功率：900mW
类型：2个N沟道
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