采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：540pF@15V
连续漏极电流：6.4A€4.5A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：26mΩ@6.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.36nF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：2个P沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：900mW
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
阈值电压：1.5V@250μA
连续漏极电流：4A
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
功率：900mW
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：1.36nF@15V
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：2个P沟道
栅极电荷：40nC@10V
功率：900mW
连续漏极电流：6.9A
导通电阻：22mΩ@10V，6.9A
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：86nC@10V
输入电容：3.69nF@10V
连续漏极电流：17.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.6mΩ@10V，13.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
栅极电荷：18.4nC@10V
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：25mΩ@10V，4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：3.8nC@5V
输入电容：412pF@15V
连续漏极电流：5.5A
类型：2个N沟道
导通电阻：38mΩ@10V，5.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：26.7nC@10V
输入电容：1.281nF@15V
连续漏极电流：10.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：11mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
