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    功率: 900mW
    工作温度: -55℃~+150℃
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:30+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数10个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数10个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数25个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数25个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8958B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:6.4A€4.5A

    类型:1个N沟道+1个P沟道

    导通电阻:26mΩ@6.4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数25个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数25个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.36nF@15V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:2个P沟道

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订3000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订3000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订21个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订21个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订1000个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    阈值电压:1.5V@250μA

    连续漏极电流:4A

    漏源电压:30V

    类型:1个N沟道

    功率:900mW

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935BZ 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    输入电容:1.36nF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~+150℃

    类型:2个P沟道

    栅极电荷:40nC@10V

    功率:900mW

    连续漏极电流:6.9A

    导通电阻:22mΩ@10V,6.9A

    阈值电压:3V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订75000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订75000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3023L-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订17个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订17个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装
    LRC Mosfet场效应管 S-LNB2306ELT1G 起订100个装

    品牌:LRC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):S-LNB2306ELT1G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:12nC@10V

    输入电容:370pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:21pF@15V

    导通电阻:35mΩ@10V,6.7A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数21000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数21000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3008SFG-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.3V@250μA

    栅极电荷:86nC@10V

    输入电容:3.69nF@10V

    连续漏极电流:17.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@10V,13.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3023L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:18.4nC@10V

    输入电容:873pF@15V

    连续漏极电流:6.2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:25mΩ@10V,4A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26.7nC@10V

    输入电容:1.281nF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26.7nC@10V

    输入电容:1.281nF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数100个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数100个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6930B 起订数10个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:3.8nC@5V

    输入电容:412pF@15V

    连续漏极电流:5.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:38mΩ@10V,5.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数500个
    DIODES Mosfet场效应管 DMG7430LFG-7 起订数500个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:900mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:26.7nC@10V

    输入电容:1.281nF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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