采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSQ020N03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：3.1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：134mΩ@2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：QS8J5TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1100pF@10V
连续漏极电流：5A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：39mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RVQ040N05TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：8.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：53mΩ@4A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ6P015SPTR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：322nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：P沟道
导通电阻：470mΩ@1.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP25H18DLFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：81pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：P沟道
导通电阻：14Ω@200mA，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRQ045P03TR
工作温度：150℃
功率：600mW
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：14nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@10V
连续漏极电流：4.5A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
