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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2026-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WPM2026-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：2.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2024-3/TR
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：36mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.3nC@10V
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：2.3nC@10V
输入电容：188pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：320pF@16V
连续漏极电流：2A
类型：2个P沟道
导通电阻：150mΩ@4.5V，2A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个N沟道
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：600mW
输入电容：188pF@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@2.5A，4.5V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
连续漏极电流：2A
栅极电荷：2.3nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
导通电阻：66mΩ@4.5V，3.4A
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：4.2nC@4.5V
类型：2个N沟道
连续漏极电流：3.8A
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
