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    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    加购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":3954,"11+":2950,"12+":119518,"13+":750000,"18+":3000,"19+":21000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1491
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:16
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZCTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZCTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"13+":28334,"14+":39000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1002
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:2.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230UQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:2.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1024NZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1024NZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2230U-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2230U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:188pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N-Channel

    导通电阻:110mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1034CZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1034CZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:3.8A€2.6A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZCTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A39PZCTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A39PZCTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:10.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:920pF@15V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3192PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3192PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3192PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:8.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@10V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:86mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1527
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTBG
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS3A90PZTBG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS3A90PZTBG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:12.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1512
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT
    onsemi Mosfet场效应管 FDME1023PZT

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":20000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDME1023PZT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@10V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:142mΩ@2.3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:411
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