采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL7N65
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL7N65
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509KNXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：5V@230µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：540pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT7N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRFL7N65
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.3Ω@10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL10N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：4.5A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT7N65AF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：16pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTPF082N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：48W
阈值电压：5V@4mA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3240pF@400V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：82mΩ@20A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
输入电容：430pF@25V
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
类型：N沟道
漏源电压：650V
包装方式：管件
连续漏极电流：9A
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
