品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:106W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:58nC@10V
输入电容:3.167nF@12V
连续漏极电流:150A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.81mΩ@25A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AF4N60S
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD65N160M9
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4.2V@250μA
栅极电荷:32nC@10V
输入电容:1.239nF@400V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@Vgs=10V
输入电容:623pF@Vds=25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@Vds=25V
导通电阻:2.2mΩ@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@Vgs=10V
输入电容:623pF@Vds=25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@Vds=25V
导通电阻:2.2mΩ@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4N65T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@Vgs=10V
输入电容:623pF@Vds=25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@Vds=25V
导通电阻:2.2mΩ@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ANBON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AF4N60S
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.4Ω@10V,2A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:3.5V@250μA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:1.77nF@25V
连续漏极电流:10.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:380mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD250N65S3H
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@1.1mA
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.261nF@400V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:201mΩ@10V,6.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT5N65A
工作温度:-55℃~+150℃
功率:106W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@Vgs=10V
输入电容:623pF@Vds=25V
连续漏极电流:5A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.9pF@Vds=25V
导通电阻:2.2mΩ@10V,2.5A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: