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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
工作温度：-55℃~175℃
功率：142W
阈值电压：2.2V@1mA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2969pF@15V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R0-30YLDX
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
功率：142W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：2.2V@1mA
导通电阻：2mΩ@25A，10V
连续漏极电流：100A
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：2969pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
漏源电压：650V
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：19A
栅极电荷：35nC@10V
阈值电压：4V@1.6mA
输入电容：1.808nF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：75V
连续漏极电流：150A
功率：142W
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：72nC@10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：6000pF@37.5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R608NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@37.5V
连续漏极电流：150A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP165N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：142W
阈值电压：4V@1.6mA
栅极电荷：35nC@10V
输入电容：1.808nF@400V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：132mΩ@10V，9.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
