采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4998，"9999"：6}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R1-30C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDI045N10A-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5270pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK661R8-30C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：168nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10918pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.9mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP032N08B-F102
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：144nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10965pF@40V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@100A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：4916，"9999"：15}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK653R5-55C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：191nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11516pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP045N10A-F102
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：74nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5.27nF@50V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5mΩ@10V，100A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"9999"：41}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK652R6-40C，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：263W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：199nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11334pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.7mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP054N10
工作温度：-55℃~+175℃
功率：263W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：203nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13.28nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.5mΩ@75A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
