品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA70N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2657,"23+":3108}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":450,"22+":460,"MI+":450}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA90N08
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@45A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2657,"23+":3108}
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250NPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":8382,"22+":8394}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: