品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP045N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPF023N08NF2SATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@139µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6200pF@40V
连续漏极电流:209A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531KCS
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3 G
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:Reel
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI045N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":4790}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB024N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@154µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8970pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP250MPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:123nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2159pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@18A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP045N10N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":58,"23+":2500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2D3N10C
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@700µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11180pF@50V
连续漏极电流:222A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86368-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4350pF@40V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC074N15NS5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@136µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@50A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":377,"21+":492}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@150µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":15500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP037N08N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.75mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA70N10
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB030N08N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@155µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8110pF@40V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":198,"MI+":37}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB073N15N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4.6V@160µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4700pF@75V
连续漏极电流:114A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@57A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP034NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.8V@155µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8130pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP111N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3230pF@75V
连续漏极电流:83A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@83A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB042N10N3GATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:214W
阈值电压:3.5V@150µA
栅极电荷:117nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8410pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: