采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：243A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：41nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：83A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：41nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：83A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：243A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB108N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：41nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：83A
类型：MOSFET
导通电阻：10.8mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：117nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP111N15N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：55nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：83A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：3000psc
规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3
栅极电荷：43nC
阈值电压：3.5V
包装方式：Reel
功率：214W
漏源电压：40V
导通电阻：2.5mΩ
连续漏极电流：243A
工作温度：-55℃~+175℃
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP034NE7N3G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.8V@155μA
栅极电荷：117nC@10V
输入电容：8.13nF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：117nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：123nC@10V
输入电容：2.159nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：75mΩ@10V，18A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：2V
栅极电荷：117nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.9mΩ
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ154EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：243A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：IPP045N10N3 G
功率：214W
阈值电压：2V
导通电阻：3.9mΩ
包装方式：Tube
连续漏极电流：100A
工作温度：-55℃~+175℃
栅极电荷：117nC
漏源电压：100V
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
