品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ60N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ60N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ69N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP60N20T
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4530pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ69N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4960pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: