品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R041CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@3.3mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8400pF@100V
连续漏极电流:68.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@33.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ22N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R041CFDFKSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@3.3mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8400pF@100V
连续漏极电流:68.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@33.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L018N075SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@22mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:262nC@18V
包装方式:管件
输入电容:5010pF@375V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@66A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW55N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:3.9V@3.3mA
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7520pF@100V
连续漏极电流:54.9A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTQ82N25P
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:142nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4800pF@25V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR24N100Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7200pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:490mΩ@12A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":450}
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L018N075SC1
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4.3V@22mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:262nC@18V
包装方式:管件
输入电容:5010pF@375V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@66A,18V
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP27N60KPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4660pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:220mΩ@16A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW55N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:3.9V@3.3mA
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7520pF@100V
连续漏极电流:54.9A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R041CFDFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@3.3mA
栅极电荷:300nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8400pF@100V
连续漏极电流:68.5A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@33.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW55N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:3.9V@3.3mA
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7520pF@100V
连续漏极电流:54.9A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ22N60P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@1.5mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:360mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFK110N07
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4V@8mA
栅极电荷:480nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@55A,10V
漏源电压:70V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R048CFDAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@2.9mA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7440pF@100V
连续漏极电流:63.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@29.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG80050E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:165nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6250pF@75V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.4mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW55N80C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:3.9V@3.3mA
栅极电荷:288nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7520pF@100V
连续漏极电流:54.9A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@32.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFX27N80Q
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@25V
连续漏极电流:27A
类型:N沟道
导通电阻:320mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":246,"MI+":26}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF75852G3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:480nC@20V
包装方式:管件
输入电容:7690pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@75A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFQ26N50P3
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2220pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@13A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW65R048CFDAFKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:500W
阈值电压:4.5V@2.9mA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7440pF@100V
连续漏极电流:63.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@29.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: