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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP180N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK065U65Z，RQ
功率：270W
阈值电压：4V@1.69mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3.65nF@300V
连续漏极电流：38A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@19A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP180N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50
功率：270W
阈值电压：5V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，12A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB3077
功率：270W
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
反向传输电容：810pF@25V
功率：270W
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：13.2nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP180N06
类型：1个N沟道
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
连续漏极电流：180A
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
反向传输电容：810pF@25V
功率：270W
工作温度：-55℃~+175℃
输入电容：13.2nF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT20N65HF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：54nC@10V
输入电容：2.512nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：14pF@25V
导通电阻：400mΩ@10V，10A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP180N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP180N06
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：180A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK39N60W5，S1VF(S
功率：270W
阈值电压：4.5V@1.9mA
连续漏极电流：38.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：74mΩ@10V，19.4A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPG200N08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：270W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：257nC@10V
输入电容：13.2nF@25V
连续漏极电流：200A
类型：1个N沟道
反向传输电容：810pF@25V
导通电阻：3.5mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
漏源电压：500V
导通电阻：200mΩ@12A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：4.31nF@25V
栅极电荷：85nC@10V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
