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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@15V
导通电阻：19mΩ@4.5V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250μA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
输入电容：1.15nF@15V
连续漏极电流：7.2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：85pF@15V
导通电阻：19mΩ@4.5V，5.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20XNER
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@15V
连续漏极电流：5.7A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@5.7A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMV20ENR
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW€6.94W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：10.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：435pF@15V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：21mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
