采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：02+
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1600，"MI+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA100N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1851pF@100V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@13A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11NM80
工作温度：-65℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1630pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：603}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF080N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2557pF@100V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@17A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF2N80YDTU
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：550pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：6.3Ω@750mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD3T40P
工作温度：-50℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：139pF@100V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：3.3Ω@1A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF18N20FT-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
