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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
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连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
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导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF8N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.6pF@25V
导通电阻：1.17Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF5N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：32nC@10V
输入电容：891pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10pF@25V
导通电阻：1.1Ω@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF8N65
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9.6pF@25V
导通电阻：1.17Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
功率：35W
阈值电压：3.5V@450μA
连续漏极电流：11.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK11A65W，S5X(M
漏源电压：650V
功率：35W
类型：1个N沟道
导通电阻：390mΩ@10V，5.5A
连续漏极电流：11.1A
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