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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004JNXC7G
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：7V@450µA
栅极电荷：10.5nC@15V
包装方式：管件
输入电容：260pF@100V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：1.43Ω@2A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
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漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
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功率：35W
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类型：N沟道
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漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1E350BNTB
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：185nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7900pF@15V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
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包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
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包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT2H12NZGC11
工作温度：175℃
功率：35W
阈值电压：4V@900µA
栅极电荷：14nC@18V
包装方式：管件
输入电容：184pF@800V
连续漏极电流：3.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@1.1A，18V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
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