采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：R8002ANX
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
功率：35W
工作温度：150℃
栅极电荷：12.7nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：2A
输入电容：210pF@25V
阈值电压：5V@1mA
漏源电压：800V
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK4A80E，S4X
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：4V@400µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@2A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANX
工作温度：150℃
功率：35W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：散装
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
