采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L140SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@10V
连续漏极电流：14A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：5}
销售单位：个
规格型号(MPN)：MRF6S27085HSR5
功率：20W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P130SPTL1
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：13A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@6.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD60R2K0PFD7SAUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@30µA
栅极电荷：3.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：134pF@400V
连续漏极电流：3A
类型：N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AMPLEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BLP0427M9S20GZ
功率：20W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STFU9N65M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@100V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：900mΩ@2.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD160P05TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：16nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@10V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@16A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6004ENDTL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@1.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P200SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@20A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3C150BCTB
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.2V@1mA
栅极电荷：60nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5C478NLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RDD023N50TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：151pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：5.4Ω@1A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2826T1S-E2-AT
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@4V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3610pF@10V
连续漏极电流：27A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@13.5A，8V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
