采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10P6F6
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10P6F6
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：6.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：340pF@48V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G10P03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.55nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P100SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：133mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
