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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
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功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
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栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
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功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
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输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
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输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
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输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
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功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
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连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：18A
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
功率：20W
栅极电荷：16.4nC@10V
类型：P沟道
阈值电压：2.2V@250µA
输入电容：870pF@30V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：40mΩ@15A，10V
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：60V
功率：20W
连续漏极电流：15A
ECCN：EAR99
输入电容：930pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM680P06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：P沟道
导通电阻：68mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
