品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2500,"19+":37000,"22+":39000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA60R1K5CEXKSA1
工作温度:-40℃~150℃
功率:20W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:200pF@100V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3N62K3
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:385pF@25V
连续漏极电流:2.7A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.4A,10V
漏源电压:620V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF2N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:95pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:173pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF3LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:2.63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:102pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:3.25Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF9N60M2
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:320pF@100V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:780mΩ@3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9610PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:管件
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:3Ω@900mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF6N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:232pF@100V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N90K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:5.3nC@10V
包装方式:管件
输入电容:173pF@100V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:2.1Ω@1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF4N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:175pF@100V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@1.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF2N95K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:管件
输入电容:105pF@100V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@1A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STF10P6F6
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.4nC@10V
包装方式:管件
输入电容:340pF@48V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:160mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
ECCN:EAR99
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:达林顿管
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MJD122G
集射极击穿电压(Vceo):100V
集电极电流(Ic):8A
功率:20W
集电集截止电流(Icbo):10µA
特征频率:4MHz
工作温度:65℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat):4V@80mA,8A
包装方式:管件
晶体管类型:NPN
直流增益(hFE@Ic,Vce):1000@4A,4V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFW1N105K3
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:管件
输入电容:180pF@100V
连续漏极电流:1.4A
类型:N沟道
导通电阻:11Ω@600mA,10V
漏源电压:1050V
包装清单:商品主体 * 1
库存: