品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF8NM50N
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
功率:20W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RDD023N50TL
工作温度:150℃
功率:20W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:11nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:5.4Ω@1A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8NM50N
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):STF8NM50N
漏源电压:500V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:364pF@50V
连续漏极电流:5A
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:790mΩ@2.5A,10V
功率:20W
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: