采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：17+
包装规格(MPQ)：9000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83P H6327
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：2.38nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：330mA
类型：MOSFET
导通电阻：1.4Ω
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND01K1-G
工作温度：-25℃~125℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：46pF@5V
连续漏极电流：330mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@100mA，0V
漏源电压：9V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS83PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@80µA
栅极电荷：3.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：78pF@25V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：2Ω@330mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP21D2UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：49pF@15V
连续漏极电流：330mA
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@200mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
