品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:2.2V@20μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:2个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:2.2V@20μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:2个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
工作温度:-55℃~+175℃
功率:28W
阈值电压:2.2V@20μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:2个N沟道
反向传输电容:8pF@25V
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170J
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C470NLT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:4nC@4.5V
输入电容:590pF@25V
漏源电压:40V
类型:2个N沟道
连续漏极电流:36A
功率:28W
导通电阻:9.2mΩ@10V,5A
反向传输电容:8pF@25V
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
阈值电压:2.2V@20μA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4170G
工作温度:-55℃~+150℃
功率:28W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:17.6nC@10V
输入电容:831pF@20V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
反向传输电容:24pF@20V
导通电阻:6mΩ@10V,20A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: