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    功率: 28W
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:90+
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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7422G 起订15个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7422G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@15V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订883个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订883个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":7474,"24+":25000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 MRF5S21130HSR5 起订50个装
    NXP Mosfet场效应管 MRF5S21130HSR5 起订50个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":50}

    销售单位:

    规格型号(MPN):MRF5S21130HSR5

    功率:28W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订7500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订7500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472ADN-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1515pF@15V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C468NLWFAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C468NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订2500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订2500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD65R1K4C6ATMA1 起订2500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD65R1K4C6ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@100µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:225pF@100V

    连续漏极电流:3.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4Ω@1A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 GAN7R0-150LBEZ 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):GAN7R0-150LBEZ

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:2.1V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:865pF@85V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@10A,5V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K5CEATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K5CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:9.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:200pF@100V

    连续漏极电流:3.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@1.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD25DP06LMATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD25DP06LMATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:28W

    阈值电压:2V@270µA

    栅极电荷:13.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:6.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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