采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI4227PBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：46W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4600pF@25V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7994DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：2475，"15+"：6750，"9999"：1541}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD01N60-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.7V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.5Ω@200mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：1.2V
栅极电荷：30nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：6.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：21549，"23+"：18194}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S408ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@17µA
栅极电荷：22.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@6V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.9mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4-08
工作温度：-55℃~+175℃
功率：46W
阈值电压：2V
栅极电荷：22.4nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：50A
类型：MOSFET
导通电阻：7.2mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@17µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2340pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7938DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2300pF@20V
连续漏极电流：60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：5.8mΩ@18.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC065N06LS5ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.3V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@32A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7252DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：3.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1170pF@50V
连续漏极电流：36.7A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：18mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7997DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6200pF@15V
连续漏极电流：60A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：5.5mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD19P06-60L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1490pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
